NCD1020B

适用于 1ns 脉宽应用 5V 低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器

NCD1020B是一款单通道低侧驱动器，专为在高速应用（包括LiDAR、飞行时间、面部识别和任何涉及

低侧驱动器的功率转换器）中驱动GaN FET和逻辑电平MOSFET而设计。产品可实现3ns的极快传播延迟和

1ns的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与OUTH和OUTL之间连接外部电阻器，可针对上拉和下拉沿来独立调

节驱动强度。产品提供过载或故障情况下的欠压锁定(UVLO)和过热保护(OTP)。产品采用晶圆级BGA封装，

可最大限度地降低栅极回路电感并最大限度地提高高频功率密度要求。

性能特点 ：

用于 GaN 和 Si MOSFET 低侧栅极驱动器

1ns 最小输入脉冲宽度

传播延迟：典型值 3ns，最大值 4.5ns

典型工作电压：5V

欠压锁存和过热保护

应用领域 ：

LiDAR

飞行时间激光驱动器

电源转换器

基于 GaN 的同步整流器

OUTH 和 OUTL 上至少使用一个电阻（约 2Ω，可根据具体应用调整），来避免感应振铃引起的电压过冲。在器件 VDD

与 GND 之间连接一个靠近器件的去耦电容，建议使用 0.47uF 三端低通滤波电容，实现最低的 ESL，另一个电容可以靠近三 端低通滤波电容，推荐使用 0.1uF 0402 封装电容和 1uF 0603 封装电容。

图 4 NCD1020B 典型应用示意图

注意事项

1) 本产品为静电敏感器件，使用储藏时应注意防静电，否则极易引起器件损坏；

2) 接入电路时请注意管脚标识，避免接错管脚，尤其要避免输入输出直接对地短路；

3) 脉冲频率非常高时，脉冲之间需要停顿以避免器件过热，需要更高的去耦电容为负载提供高频充电。