性能特点

 用于 GaN 和 Si MOSFET 低侧栅极驱动器

 1ns 最小输入脉冲宽度

 传播延迟：典型值 3ns，最大值 4.5ns

 典型工作电压：5V

 欠压锁存和过热保护封装尺寸：1.28mm×0.84mm×0.60mm 锡球直径：260um

应用领域

LiDAR

 飞行时间激光驱动器

 电源转换器

 基于GaN 的同步整流器

产品简介NCD1020B是一款单通道低侧驱动器，专为在高速应用（包括LiDAR、飞行时间、面部识别和任何涉及低侧驱动器的功率转换器）中驱动GaN FET和逻辑电平MOSFET而设计。产品可实现3ns的极快传播延迟和1ns的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与OUTH和OUTL之间连接外部电阻器，可针对上拉和下拉沿来独立调节驱动强度。产品提供过载或故障情况下的欠压锁定(UVLO)和过热保护(OTP)。产品采用晶圆级BGA封装，可最大限度地降低栅极回路电感并最大限度地提高高频功率密度要求。