几百根光纤怎么对准一颗芯片?Molex买下Teramount,啃的是CPO最硬的一块

2026-09-27

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TeraVERSE光纤到芯片连接方案          

Teramount的TeraVERSE:绿色基板中央是交换芯片/硅光芯片,两侧银色模块是光纤连接座,右下角红色小件是可以拔插的光纤接头。CPO要解决的,就是光纤怎么接到芯片上。(来源:Teramount官网)


01 一笔看似平常的收购,买的却是"进封装流程的光路"

2026年4月15日,全球连接器大厂Molex宣布将收购以色列公司Teramount,5月7日完成交割。

数据来源:Teramount官网新闻稿《Molex Announces Agreement to Acquire Teramount Ltd.》(2026年4月15日)、《Molex Completes Acquisition of Teramount Ltd.》(2026年5月7日)。

单看消息,这像是连接器行业一笔很正常的收购:Molex本来就是连接器巨头,Teramount也在做光纤连接,听起来很顺。

但顺着Teramount的产品往里看,会发现这家公司有点特别。

它卖的不是机柜面板上那种接口,也不是光模块尾部插来拔去的东西。它盯住的是更里面的一段路——光纤怎么接到硅光芯片上。

这段路很短,短到只发生在芯片、封装、光纤阵列之间,也就几毫米。可就是这几毫米,可能决定CPO(共封装光学)后面能不能真正进入大规模制造。

Molex不缺传统连接器能力,也不缺光互连产品组合。它缺的是CPO往量产走时,怎么把光纤连接这个环节纳入半导体制造的节奏里。

说得更直白一点:Molex买到的不是一个新连接器型号,而是一种把光纤连接"推进半导体封装流程"的方法。(理解成从产品销售者就变产品的定义者)


02 它卖的不是普通连接器:两个部件先分清

Teramount给自己这套方案起的名字叫Universal Photonic Coupler(通用光子耦合器)。名字很抽象,拆开看其实就两个核心部件:

1一个叫Photonic-Bump(光子凸点),放在硅光芯片这一侧;

1一个叫Photonic-Plug(光子插头),连着外部光纤这一侧。

把这两个东西组合起来的成品,就是TeraVERSE,用在CPO里。

数据来源:Teramount官网产品页《TeraVERSE》。

官网的说法很直接:TeraVERSE是一个detachable and serviceable(可拆卸、可现场维护)的光纤连接产品,用来把单模光纤(SMF)和保偏光纤(PMF)装配到硅光芯片上。(这个可解决的很大的问题)

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TeraVERSE插头与芯片对接          

TeraVERSE对接瞬间:右侧红色是带光纤的Photonic-Plug,左侧银色是固定在基板上的连接座。插上去靠机械结构自对准,光路就通了。(来源:Teramount官网)

这里有个容易被忽略的点。

如果只看"detachable(可拆卸)"这个词,很容易把它理解成连接器行业常说的可拔插,让工程师拔得更顺手。但Teramount真正想改的不是插拔手感,而是制造流程。

传统连接器解决的是线缆和线缆、模块和模块之间怎么连;Teramount处理的是光纤和芯片之间怎么连。这个位置往前一步是晶圆厂和封装厂,往后一步才是机柜、模块、面板和布线。


03 真正难的,是芯片侧那个Bump

这套方案里,最值得看的不是Plug,而是Bump。

Photonic-Plug更像读者能直观看见的部分:接光纤、可拆卸、接近"连接器"这个词带来的想象。但真正把事情变复杂的,是芯片侧的Photonic-Bump。

为什么直接对准这么难?

硅光芯片里的光,通常在很窄的波导里走。你可以把波导想成一条非常窄的光路。光纤的芯也很细。

1单模光纤的模场直径约9.2微米(1310nm波段);

1硅光芯片里条形波导的宽度,通常只有0.45到0.5微米。(可以理解到为什么V-Groove的精度这么高)

数据来源:单模光纤模场直径见ITU-T G.652标准建议;硅光波导典型尺寸参考imec硅光平台公开设计资料(SOI硅层220nm)。

让波导和纤芯这两者直接对上,机械误差、热膨胀、封装翘曲,都会变成麻烦。୨୧✟♡̶⃛( •̥́ ᯅ •̥̀ )♡̶✞୨୧

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光纤V槽对准硅光芯片          

传统边缘耦合:左图是光纤在硅V形槽(V-groove)里对准硅光芯片的显微照片,标尺100微米;右图是边缘耦合示意。光纤要靠V槽一根根机械定位,对准芯片边缘的波导。(来源:Latitude技术资料《硅基光电子技术中V形槽光纤耦合技术》)

一根已经很难,而一颗CPO交换芯片旁边要接的是几十到几百根光纤。

Photonic-Bump做了三件事

Teramount的做法,是在硅光PIC(光子集成电路)上放一个晶圆级光学元件,也就是Photonic-Bump。它干三件事:(b♡∀♡)b

  • 转方向:通过deflector mirror(偏转反射镜),把原来沿芯片平面走的光,转到垂直方向(折转约90°);

  • 配模场:做mode-matching和spot-size conversion(模场匹配、光斑尺寸转换),让芯片波导里的光和光纤里的光更容易接上;

  • 扩光束:和Photonic-Plug配合做beam expansion(光束扩束),把光斑放大。

数据来源:Teramount官网技术页《Our Technology》。

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Photonic-Bump结构与光路          

左:硅光芯片(Silicon Photonic chip with PhotonicBump)与PhotonicPlug实物;右:平面光学(planar optics)光路示意——光纤(Fiber)经过玻璃间隔层(Glass Spacer)里的多组反射/扩束面,把光耦合进下方芯片。光纤所在平面与硅光芯片平面被分开。(来源:Teramount官方技术图)

这件事听起来满是光学课术语,但工程上的意思很朴素:

你要对准一根针,当然很难;你把要对准的目标变大,难度就下来了。 (ง •̀_•́)ง

容差:从"主动调光"推向"被动装配"

Teramount官网给出的说法是,它的自对准光学(self-aligning optics)在单模或保偏光纤对准硅光芯片时,可以做到优于±30微米的装配容差、插损0.5dB以内(better than ±30µm / 0.5dB)。

数据来源:Teramount官网技术页装配容差口径"better than ±30µm / 0.5dB"。

这个数字的重点不是炫技,而是把一件原本依赖高精度主动对准设备的事,尽量推向被动装配(passive alignment)——靠晶圆级光学结构和机械定位保证对准,而不是每根光纤都上电调光、找最大功率点再固定。

这是它和普通连接器最不一样的地方:它没有只在连接器外壳、弹片、导针、卡扣上做文章,而是把光学结构放进了晶圆级制造和封装流程里。

需要说明的是,±30µm/0.5dB是Teramount的官方口径,具体到不同通道数、波长和客户设计会有差异,不能简单当成所有fiber-to-chip方案的统一标准。(看起来挺难的)


04 光纤可以"晚一点上车":这是风险隔离,不是售后功能

CPO里有一个很现实的问题:

芯片封装要经历电气装配、回流焊(reflow soldering)、测试、散热结构集成。光纤如果太早固定在芯片旁边,就会带来一堆麻烦:材料耐温、工艺顺序、测试返修、封装空间,哪个都绕不开。

Teramount一直强调一个词:post-reflow fiber connectivity(回流焊之后再接光纤)。

翻译成工程语言就是:芯片和封装先把该过的高温流程做完,光纤晚一点再接上去。

这一步很关键。因为光纤晚一点上车,前面的晶圆测试、封装测试、已知良品筛选(KGD)就有机会先发生。等确认芯片侧和光学接口没有明显问题,再把光纤接进去。

如果光纤连接失败,系统也不一定要把前面昂贵的芯片和封装一起拖下水。 (◍´꒳`◍)

Teramount在2023年的一份DFA(Design for Assembly,面向装配设计)白皮书摘要里,把Detachable Fiber Assembly(可拆卸光纤组件)放在CPO的semiconductor-grade manufacturing and field serviceability(半导体级制造与现场可维护性)里讲。

数据来源:Teramount 2023年DFA白皮书公开摘要。

这个表述挺准确。CPO最怕的不是实验室里能不能亮,而是量产时每一步错了以后,谁来承担损失:

  • 光纤如果是永久固定的,装错、污染、损坏、测试不过,后果都比较重;

  • 光纤如果可以后装配、可拆、可维护,系统设计者就多了一层缓冲。

所以"可拆卸"的真正价值,不是一个售后便利功能,而是制造流程里的风险隔离。

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TeraVERSE可拆卸组件          

TeraVERSE组件:红色底座夹住芯片边缘,两根扁平光纤带从上方引出,末端是标准接头,可拆卸、可更换。光纤在回流焊之后再接,坏了换光纤而不是换整个封装。(来源:Teramount官网)


05 晶圆级光学元件,到底是怎么造出来的?

Photonic-Bump被反复强调是"晶圆级光学元件(wafer-level optical elements)"。那这些比头发丝还小的透镜、反射面,到底用什么工艺、什么材料做?

这是最容易被一句"3D打印"糊弄过去的地方。实际上,打样和量产用的是不同工艺,能做在什么材料上、能不能过回流焊,差别非常大。

先看创始人背景,能帮助理解它的技术来路。官网列出的两位创始人:

CEO兼联合创始人Hesham Taha,方向涉及nano-lithography(纳米光刻);

CTO兼联合创始人Avi Israel,方向是photonic polymer waveguides(聚合物光波导)。

两人都有耶路撒冷希伯来大学应用物理博士背景,创办Teramount前都在Nanonics Imaging工作过。(两个人都是业界大牛)

数据来源:Teramount官网团队页。

这不是传统连接器厂商最典型的履历(传统连接器更熟悉插芯ferrule、适配器、线缆组件、精密塑胶和金属件、端面研磨),而更像是从微纳加工、聚合物波导、晶圆级光学元件和硅光封装问题里长出来的。

下面把行业里三类主流工艺讲清楚。需要先声明:Teramount没有完整公开Photonic-Bump的具体材料配方和工艺细节,下面是行业公开的晶圆级微光学工艺路线,不代表替Teramount下结论。

路线一:光刻+刻蚀,直接做在硅或石英上(精度最高、最耐温)

最"半导体"的做法,是用灰度光刻(grayscale lithography)或纳米压印先做出掩模,再通过ICP/RIE干法刻蚀,把透镜、反射面直接刻进硅或熔融石英本体里。

  • 基材:硅晶圆、SOI晶圆,或熔融石英(fused silica,如JGS1);

  • 特点:最终光学面就是硅/石英材料本身,能承受后续上千度的工艺和回流焊,和CMOS产线共线,阵列间距可以做到和波导同量级的精度;

  • 实例:已有厂商用"光刻-刻蚀"或"纳米压印-刻蚀"工艺,在熔融石英上做出内凹球面/柱面微透镜阵列(recessed lens),明确用于光模块、CPO、NPO的多通道光耦合。

数据来源:苏州苏纳光电(SUNA)官网产品页"Fused-silica recessed lens...lithography-etching / nanoimprint-etching process...CPO/NPO";MDPI《Fabrication of High Precision Silicon Spherical Microlens Arrays by Hot Embossing Process》(2022,单点金刚石车削模具+热压+ICP刻蚀转移到硅,模具表面粗糙度约11.1nm Sa)。

路线二:UV纳米压印,在基板上压一层聚合物透镜

UV纳米压印(UV-NIL)像"盖章":先做高精度母模,在基板上滴UV光学胶,用模具压出形状,紫外光照射固化,脱模得到透镜阵列。

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UV纳米压印五步工艺          

UV纳米压印五步:①点胶(Dispensing)②压印(Imprinting)③UV固化(UV curing)④脱模(Demolding)⑤成品透镜(Finished lens)。注意第一步基板标注的是"Glass or foil(玻璃或薄片)"。(来源:Tech Briefs《Manufacturing Wafer-Level Optics Using UV Adhesives and Polymers》)

关于基材和耐温,这里要讲准确,也是容易以讹传讹的地方:

  • 基材:纳米压印并不只压在塑料上。它可以做在玻璃(含石英)、硅这类硬质基板上,也可以做在聚合物薄片/塑料上。行业对微透镜阵列基材的归类就是硅、光学玻璃、高分子树脂三大类。

数据来源:新浪财经《微透镜阵列(MLA)产业链》(2026年9月):"主流工艺光刻刻蚀、玻璃模压、纳米压印,材料分为硅、光学玻璃、高分子树脂三大类";Addison Clear Wave《Photo Nano-Imprint Lithography》:"gives embossed features on plastic, glass, silicon, or metal"。

  • 压印的那层透镜,是UV固化树脂(聚合物)。普通光学树脂的玻璃化转变温度(Tg)有限,本身不一定扛得住260°C的回流焊峰值温度。

  • 要过回流焊,就必须用特殊的高热稳定性材料配方。设备厂SUSS在一份专门讲CPO应用的UV压印资料里明确写道:他们演示用的材料"在回流焊峰值高达260°C的高温工序后,仍能保持结构完整和光学性能"——这正对应你说的"耐高温的话,那个胶是特别的"。这类CPO专用UV压印胶是专门配方(SUSS演示采用DELO的PHOTOBOND VE 556992光学胶),不是随便一种UV胶都行。

数据来源:SUSS《Microlens Fabrication with UV Imprint Lithography for Co-packaged Optics Applications》:"retains its structural integrity and optical properties even when subjected to...reflow soldering with peak temperatures up to 260°C";材料为DELO PHOTOBOND VE 556992。

聚合物透镜的优点是能做任意自由曲面/非球面、复制快、成本低;短板也要说清楚:折射率会随固化条件漂移,热膨胀系数比玻璃大一个数量级,还存在吸湿和长期老化问题。(CTE干掉了一切)

数据来源:欧光科技《晶圆级光学元件检测》(2026年6月):"WLO用的是UV固化聚合物,折射率随固化条件漂移,热膨胀系数比玻璃大一个数量级"。

打样和做母模:双光子聚合(2PP)

研发打样阶段常用双光子聚合(2PP,也叫双光子灰度光刻2GL),用飞秒激光在光刻胶里只让焦点处聚合,分辨率可达约100纳米,能直接做出任意三维自由曲面透镜。但它逐点扫描、慢且贵,主要用来做样品和量产母模(再翻成镍模/工作模去复制),不直接承担几十万片的量产。

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灰度光刻自由曲面微透镜母模          

双光子灰度光刻(2GL)做出的自由曲面微透镜母模SEM,透镜从圆形渐变到椭圆/柱面,标尺100微米。这类母模会被翻成镍模(nickel shim),再用于纳米压印批量复制。(来源:Nanoscribe Quantum X litho产品页)

数据来源:Nanoscribe官网;opdo.ai《Manufacturing Micro-Optics with Two-Photon Polymerization》(2025年9月):2PP分辨率约100nm。

路线三:晶圆级玻璃模压(WLG):耐温好,但芯片端精度有天花板

晶圆级玻璃模压(WLG)是将玻璃晶圆加热软化后,用高精度模具直接压制成型透镜阵列,基材为光学玻璃(如高硼硅、BK7 类)。

WLG 工艺说明超精密晶圆级玻璃模压量产技术,可突破传统玻璃模压的精度瓶颈,实现整片晶圆镜片面间偏心≤1μm、单穴面型 PV≤300nm,支持多穴一体成型与复杂自由曲面结构

数据来源:辰瑞光学官方产品技术参数;电子发烧友《瑞声科技 CPO 高精度微透镜阵列亮相 CIOE 2026》(2026-09-14)(注:公开报道中企业主体以官方信息为准)


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玻璃精密模压非球面微透镜阵列          

SUMITA的玻璃非球面微透镜阵列,精密模压成型,两块透明玻璃片上各排了一列透镜,下方是透镜放大图。玻璃材料耐高温,可用于激光与光通信耦合。(来源:SUMITA OPTICAL GLASS官网)

——"WLG看似什么都能做,其实在CPO芯片端最苛刻的位置,精度是有天花板的":

  • 玻璃模压更成熟的区间,是手机镜头、激光雷达、连接器/背板级这类百微米到毫米级的球面/非球面阵列;

  • 公开白皮书给出的玻璃精密模压典型精度在约150纳米量级、单透镜尺寸最小约50微米、阵列间距精度约1微米/10毫米;

  • 而芯片端fiber-to-chip耦合,往往要求几十微米尺度的强非球面/自由曲面、与波导匹配的亚微米阵列位置精度、整片晶圆的高一致性。玻璃在高温下的充型、脱模、模具寿命和热收缩,会限制它在这个尺度的面型和阵列精度。

数据来源:GD Optics白皮书《Efficient and precise production of microlens arrays using precision glass molding》:Precision约150nm、lenslet 0.05–10mm、pitch精度<1µm/10mm;Moveon《Design Rules for WLO》(2026年5月)工艺对比。

所以更稳妥的判断是:芯片端最高精度的耦合光学,目前更多走"光刻/压印+刻蚀落到硅或石英"或聚合物压印;WLG在耐温要求高、精度要求相对低一档的层级(以及背板/连接器侧)更有优势。 国内确有厂商(如瑞声科技)在CIOE 2026展示用WLG做CPO高精度微透镜阵列,这属于正在工程化推进的路线,但是否全面满足芯片端亚微米要求,还要看量产良率和客户验证。

数据来源:电子发烧友《瑞声科技CPO高精度微透镜阵列亮相CIOE 2026》(2026年9月14日)。

一张表看清三类工艺

工艺

透镜材料/基材

典型精度

耐回流焊

主要用途

光刻/压印+刻蚀

硅、熔融石英本体

亚微米,最高

是(本体耐温)

芯片端耦合透镜/反射面

UV纳米压印

UV树脂透镜,落在玻璃/硅/塑料基板

纳米级复制

普通胶不行,需260°C专用配方

自由曲面透镜量产

晶圆级玻璃模压WLG

光学玻璃

约150nm级

是

连接器/背板级、耐温透镜

双光子聚合2PP

聚合物光刻胶

约100nm

否(打样为主)

样品、做母模

数据来源:综合SUSS、Nanoscribe、SUMITA、GD Optics、Moveon、SUNA公开技术资料整理(2025–2026)。具体器件以各厂商正式规格书为准。



06 资本和产业方,已开始下注(´。`)=3

Teramount的公开进展,能看到几个清晰的时间点:

  • 2021年3月:完成800万美元融资,Grove Ventures领投,Amelia Investments、David Dadi Perlmutter等参与;

  • 2024年3月:宣布与GlobalFoundries(格芯)合作,把Universal Photonic Coupler与GF的45CLO硅光平台(GF Fotonix)集成;

  • 2025年7月:宣布完成5000万美元融资,Koch Disruptive Technologies(KDT)领投,AMD Ventures、Hitachi Ventures、Samsung Catalyst Fund、Wistron(纬创)、Grove Ventures等参与,官方称资金用于扩大团队、向规模量产扩张;

  • 2026年4月宣布、5月完成:Molex收购,交易金额未披露。

数据来源:Teramount官网新闻稿及Crunchbase公开融资记录。

Molex公告里有一句话很有信息量:Teramount的passive, detachable coupling approach(被动、可拆卸耦合方案)支持large assembly tolerances(大装配容差)和semiconductor-grade wafer-level processes(半导体级晶圆工艺),填补了optical stack(光学堆栈)里的关键空白。

这句话基本把收购逻辑讲出来了。

但边界也要讲清楚:Molex官方公告没有披露交易金额,Teramount公开资料也没有披露收入、毛利率、客户量产出货规模。 现在能确认的是合作、融资、收购和产品路线,不能把这些直接等同于大规模商业成功。公开信息能证明的,也就到这里。


07 SENKO看到了同一个问题:别把产品层级放错

聊Teramount,绕不开日本连接器大厂SENKO。但不能把SENKO只当成一个对手名字——它有好几类产品,放错层级就会乱。

SN-MT:解决的是"面板和模块密度"

SN-MT面向高密度应用,有8F和16F版本。官方称16F版本密度比16芯MPO高2.7倍,并且可以在QSFP-DD或OSFP模块里放入64根光纤。

这个产品更适合讨论前面板、模块、板上互连和光纤布线密度,不是芯片侧耦合。

数据来源:SENKO官网SN-MT产品页。

MPC和SEAT:才是芯片侧

MPC(Metallic PIC Coupler,金属PIC耦合器)才更接近Teramount的问题域。先看一张官方结构特写,"冲压金属平台+微镜阵列"到底长什么样:

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SENKO MPC金属PIC耦合器结构特写          

SENKO MPC结构特写(Lightwave Innovation Reviews 2023获奖产品图):左下彩色平行排线是单模/保偏光纤带,中间黑色块就是冲压成型的金属光学平台(stamped metallic optical bench);放大看头部那片银色栅格,正是一排平行的微镜阵列/精密金属V槽(micro mirror array / precision metal V-groove)——光纤沿水平方向进来,被这排45°微镜折转90°、聚焦后送进下方PIC。整个金属平台用专利冲压工艺批量成型,而不是一颗颗磨出来。(来源:SENKO / Lightwave Innovation Reviews 2023)

看清这张图,再读参数就不抽象了:

  • 结构:用冲压金属光学平台(stamped metallic optical benches)加微镜阵列(micro mirror arrays),在光纤和光子器件之间折转、聚焦光束(就是上图头部那排银色栅格干的活);

  • 耦合方式:提供EDGE(边缘)和SURFACE(表面)两种耦合,并有PERMANENT(永久)和DETACHABLE(可拆卸)两种版本;

  • 典型规格:MPC20为低矮设计,容纳20根光纤、光纤间距127微米,提升PIC海岸线密度;

  • 官方还列出:光束扩束(beam expansion)、热稳定性(thermal stability)、可回流焊设计(reflowable design)、低轮廓、低CTE材料等特性,用专利冲压工艺做高量产。

数据来源:SENKO官网MPC Series、MPC20产品页(2026年更新);结构特写为SENKO在Lightwave Innovation Reviews 2023的获奖产品图。

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MPC/D-FAU在CPO交换机中的位置          

可拆卸光纤到芯片连接器(D-FAU)在CPO交换机中的位置:中央交换芯片旁是MPC36,前面板用SN-MT提高密度,板中(mid-board)用SN-MT Mini MBMC,背板用SN-MT背板连接器。(来源:Senko官方说明图)

两家公司看到的是同一个缺口:CPO需要一种能进入封装流程、能测试、能量产、能维护的fiber-to-PIC接口。

但出发点不同:

  • SENKO像从连接器工业往芯片侧推进,有很强的光纤连接器、精密制造、互连生态积累,MPC/SEAT看起来像连接器工程继续往深处走;

  • Teramount像从硅光封装往连接器形态推进,核心表达不是连接器壳体,而是Photonic-Bump、晶圆级光学元件、表面耦合、自对准和post-reflow。

这不是简单的谁替代谁,更像两条路都在往中间挤:一条从光纤连接器往芯片走,一条从硅光芯片和封装往光纤走。(;>_<;)


08 真正的竞争,在制造流程里

Teramount这个案例最有意思的地方,不在于它的连接器叫什么名字,也不在于它被Molex收购这件事本身。

真正有意思的是:CPO这类技术一旦走向量产,竞争就会从单点器件扩散到制造流程。

光引擎要好,硅光芯片要好,交换芯片要好,外置激光源、光纤阵列、散热、电气封装、测试流程也都要跟上。但这些东西会在一个很具体的问题上相遇——

光纤怎么接到芯片上。

  • 它是在前道、后道、封装后,还是系统级连接?

  • 它是永久固定,还是可以拆?

  • 它坏了以后,是换一根光纤、换一个光纤阵列,还是整个封装都受影响?

这几个问题不性感,也不太适合做发布会大标题,可它们非常真实。

半导体产业里很多关键变化,很难只用一句"性能提升多少"概括。真正进入量产时,工程师天天面对的是良率、测试、返修、供应链、装配节拍和成本曲线。

Teramount值得关注的地方就在这里。它没有试图把自己包装成又一个AI基础设施故事,至少从公开材料看,它切的是一个很窄的位置:光纤到芯片。

但这个位置足够靠里。靠到它一旦成立,连接器就不只是柜门和模块上的零件,而会变成半导体封装流程里的一段光路。

这可能也是Molex需要它的原因。(原来如此)


回到开头那几毫米

CPO的热闹,通常在交换芯片带宽、在功耗下降多少、在哪家又发布了新平台。但决定它能不能从展会样品走进大规模量产的,往往是一些很不起眼的环节——比如几百根光纤,怎么又快、又便宜、又可维护地对准一颗芯片。

Teramount和Molex给出的答案,拆开看是三层:

  • 光学上,用Photonic-Bump做偏转、配模场、扩光束,把对准目标放大,把装配容差推到±30微米量级(官方口径),让主动调光变成被动装配;

  • 流程上,用post-reflow可拆卸连接,让光纤在回流焊之后再上车,把昂贵芯片和光纤装配的风险隔离开;

  • 制造上,把光学对准从组装车间转移到晶圆级工艺——而这些晶圆级微光学,按材料和精度分,又落在硅/石英刻蚀、UV压印(耐温需专用胶)、玻璃模压等不同路线上。

下次再看到CPO NEWS,不妨多问问问:光引擎旁边那几百根光纤,是怎么接上去的?在前道还是后道接?坏了能不能换?上面的微透镜,是刻在硅和石英上的,还是压印的聚合物、模压的玻璃?

这几个问题,才是CPO真正的量产分水岭。


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